Beschriftungsanwendungen in der Halbleiterfertigung müssen schnell und präzise steuerbar sein. Markiergeschwindigkeiten von über 1000 Zeichen/Sekunde sind an der Tagesordnung. Die Eindringtiefe in die empfindlichen Bauteile beträgt dabei weniger als 25 µm/1 mil.
ROFIN's Laserbeschrifter generieren Zeichengrößen, die präzise an den Bedürfnissen unserer Kunden ausgerichtet sind. Sogar bei einer Zeichenhöhe von nur 0,2 mm garantieren sie beste Qualität. Die Strichstärke ist wählbar von 30 µ bis zu über 160 µ, mit einer kontrollierten Eindringtiefe von weniger als 25 µm/1 mil.
Dank der äußerst hohen Präzision des Laserbeschrifters lassen sich kleinste Bauteile bei minimalem Wärmeeintrag und bester Reproduzierbarkeit herstellen: Je kleiner die Bauteile, desto mehr kann dieses Verfahren seine Vorzüge zeigen. Je nach Material kommen auch frequenzverdoppelte Strahlquellen zum Einsatz.
Die Laserbeschriftung von Silizium-Wafern dient der Rückverfolgbarkeit des Herstellungsprozesses zur Fehleranalyse von Halbleiterbauelementen. An ein Lasersystem zur Waferbeschriftung werden höchste Anforderungen gestellt. So muss die Lasermarkierung maschinenlesbar, miniaturisiert und ohne Einfluss auf die weiteren Herstellungsschritte sein sowie am Ende der Prozesskette immer noch eine eindeutige Identifizierung zulassen.
Das breite Produktspektrum unserer Halbleiter-Laser bietet sehr gute Qualität auch bei der Laserbeschriftung von Keramiken. Durch die Optimierung der Leistung und der Strahlqualität können hier sowohl hohe Kontraste als auch hohe Geschwindigkeiten erzielt werden.
Für diese Anwendung empfehlen wir die Laserbeschrifter: PowerLine E Air IC, PowerLine E IC, PowerLine F 20 IC.
