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Laser Annealing

Laser Annealing ist eine zunehmend wachsende neue Technologie, insbesondere findet diese immer öfter Anwendung in folgenden Industrien: Automobil, Erneuerbare Energien, Kommunikation, Beleuchtung, Medizintechnik und vor allem im Halbleitermarkt.

IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor) werden auf mechanisch gedünnten Wafern gefertigt, welche eine typische  Waferdicke von 100 µm oder weniger aufweisen. Um einen Feldstopp Layer und oder einen Emitter Layer  auf der Wafer-Rückseite zu erzeugen, werden die Implants (Dotierungen) mittels eines Hochtemperatur- Annealing Verfahrens am Ende des FEOL (Front End of Line) Prozesskette, aktiviert. Oftmals ist die Wafer-Frontseite  mit einem Protective-Tape (Schutzfolie) versehen, welche die sensiblen Bauteile vor Beschädigung , schützt. Dieses Protection-Tape (Schutzfolie) ist Temperaturempfindlich und reagiert sensibel auf Temperaturänderungen auf der Wafer-Vorderseite. Dieses ist  zum Beispiel bei einer konventionellen Aktivierung in einem Ofenprozess,  der Fall.  Charakteristische Nachteile eines Ofenprozesses sind  neben der inhomogenen Temperaturverteilung auch niedrigerer Aktivierung des Implants (Dotierung).

Coherent-ROFINs Laser Annealing Prozess wurde entwickelt um diese Schwachstellen zu reduzieren / eliminieren um höhere Aktivierungsraten und hohe Prozesssicherheiten zu gewährleisten und dieses zu einem äußerst konkurrenzfähigem  Preis-Leistungsverhältnis.
Laser Annealing kann eine Tiefenaktivierung des Implants (Dotierung)  erzeugen und dabei das Protection Tape (Schutzfolie) auf der Waferfrontseite  nicht zerstören da der Wärmeintrag niedrig gehalten wird.   

Laser Annealing

Laser Annealing

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Bildrechte © Frauenhofer ISIT
Wafer-Annealing with laser system Waferlase